Ultra-Precision Titanium CNC Machining for Semiconductor Equipment

Le camere a vuoto per semiconduttori e i sottoassiemi di litografia EUV/DUV richiedono superfici di tenuta con planarità submicrometrica e finitura Ra ≤ 0,4 µm. I nostri centri di fresatura a 5 assi di ultra precisione lavorano Titanio Grado 2 e Grado 5 con tolleranze GD&T che prevengono percorsi di perdita di gas e generazione di particelle a livelli di vuoto di 10⁻⁹ Torr.

• Planarità della superficie di tenuta ≤ 1 µm per 300 mm — previene perdite di gas a UHV 10⁻⁹ Torr
• Finitura di tenuta Ra ≤ 0,4 µm — elimina micro-interstizi che intrappolano i gas di processo
• Controllo del profilo GD&T submicrometrico — tassi di perdita di elio < 1×10⁻⁹ atm·cc/sec

Lo strato di ossido nativo del titanio e la sua pressione di vapore intrinsecamente bassa lo rendono ideale per ambienti UHV. I nostri processi di elettropolitura e vuoto-baking riducono ulteriormente i tassi di degassamento, garantendo l'integrità della camera per i processi critici di deposizione di film sottili CVD/ALD.

• L'elettropolitura rimuove la contaminazione superficiale — tasso di degassamento < 1×10⁻¹² Torr·L/sec·cm²
• Vuoto-baking a 250°C desorbe vapore acqueo e idrocarburi prima dell'assemblaggio finale
• Lo strato nativo di TiO₂ previene la permeazione dell'idrogeno a temperature di processo elevate

Le piastre di distribuzione gas CVD e ALD richiedono migliaia di microfori lavorati con precisione che distribuiscono i gas precursori con uniformità a livello atomico su wafer da 300 mm. La nostra microforatura CNC raggiunge diametri di foro fino a Ø0,2 mm con precisione posizionale di ±0,005 mm — garantendo impedenza del flusso di gas costante su tutta la superficie della piastra. L'elettropolitura post-foratura rimuove le micro-bave e raggiunge una finitura Ra ≤ 0,1 µm ID.

• Microforatura fino a Ø0,2 mm — precisione posizionale ±0,005 mm su tutta la piastra
• Finitura ID elettropolita Ra ≤ 0,1 µm — elimina turbolenze e siti di nucleazione di particelle
• Ispezione ottica 100% dei fori — verifica diametro, rotondità e assenza di bave

L'elettropolitura post-lavorazione è critica per i componenti di distribuzione gas per semiconduttori. Il processo rimuove lo strato superficiale deformato meccanicamente lasciato dagli utensili da taglio — eliminando microfratture, bave e contaminanti incrostati che potrebbero rilasciare particelle durante il funzionamento. La finitura a specchio risultante (Ra ≤ 0,1 µm) crea una superficie chimicamente pulita che resiste all'adsorbimento dei precursori e minimizza gli effetti di memoria della camera.

• L'elettropolitura rimuove 10-20 µm di strato deformato — elimina micro-bave e contaminanti incrostati
• Finitura a specchio Ra ≤ 0,1 µm — previene l'adsorbimento dei precursori e gli effetti di memoria della camera
• Passivazione chimica ripristina lo strato nativo di TiO₂ — massimizza la resistenza alla corrosione dei gas di processo

I componenti a semiconduttore vengono sottoposti a un processo di pulizia multifase validato dopo la lavorazione — iniziando con lo sgrassaggio con solventi per rimuovere gli oli da taglio, seguito da lavaggi alcalini e acidi in bagni a ultrasuoni e terminando con risciacqui con acqua deionizzata. La verifica finale tramite test di estrazione con solvente conferma residui di idrocarburi inferiori a 10 µg per componente — soddisfacendo i requisiti di purezza delle fabbriche di wafer 2nm e 3nm all'avanguardia.

• Flusso d'aria laminare verticale filtrato HEPA — ≤ 100 particelle (≥0,5 µm) per ft³
• Differenziale di pressione positiva — impedisce l'ingresso di aria non filtrata
• Tuta integrale da camera bianca con calzature antistatiche — contaminazione da particelle umane zero

Dopo la pulizia finale, tutti i componenti a semiconduttore vengono trasferiti in un ambiente di camera bianca ISO Classe 5 (Classe 100) per ispezione, imballaggio e sigillatura. Ogni componente viene doppiamente insaccato in polietilene antistatico di grado camera bianca, con etichette specifiche del lotto che documentano data di pulizia, numero di lotto e risultati del test sugli idrocarburi — garantendo una consegna pronta per la fabbrica.

• Sgrassaggio a ultrasuoni con solventi di grado semiconduttore — rimuove tutti i residui di lavorazione
• Risciacquo con acqua DI fino a 18 MΩ·cm — contaminazione ionica zero sulle superfici dei componenti
• Verifica organica post-pulizia — contaminazione residua < 10 µg/cm²